西門子 6ES7223-1PL32-0XB0模塊
SIMATIC S7-300的通用技術數據
防護等級
P20,符合EC60529
環(huán)境溫度
水平安裝時0~60°C
垂直安裝時0~40°C
相對濕度10~95%,無結露,相當于符合EC61131,Par2中規(guī)定的2級相對濕度(RH)
1080~795hPa(相當于海拔-1000~+2000m)
絕緣
50V
500VDC測試電壓
150V
2500VDC測試電壓
250V
4000VDC測試
電磁兼容電磁兼容性指令要求;抗擾性,依據標準EC610006-2脈沖形千擾變
測試依據:靜電放電:EC61000-4-2突發(fā)脈沖:EC61000-44;浪涌脈沖:E61000-45
測試依據:高頻輻射:C61000-4-3高頻去耦:EC61000-4-6千擾輻射:EN正弦干擾變量
測試依據:電磁干擾:EN55016,A級限值(測量距離為10m)電流電源電磁干射頻干擾
EN55011:A級限值,組1頻率范圍10Hzf58H機械負載?連續(xù):振幅00375mm
振動間歇:振幅0.75mm
頻率范圍58Hzf150H
連續(xù):恒定加速度05g
間歇:恒定加速度1g
測試標準C60068-26
測試參數:5 Hosts9Hz,恒定振幅35mm;9Hzs150Hz,恒定加速度1g
振動持續(xù)時間:在ⅩY、Z三個方向上,各10次
測試標準:EC60
抗沖擊性測試參數
半正弦:沖擊強度15g(峰值),持續(xù)時間11ms
沖擊方向:在ⅩY、Z正負方向上,各3次
內存卡
6ES7953-8LF11-0AA0 SIMATIC Micro內存卡 64kByte(MMC)
6ES7953-8LG11-0AA0 SIMATIC Micro內存卡128KByte(MMC)
6ES7953-8LJ11-0AA0 SIMATIC Micro內存卡512KByte(MMC)
6ES7953-8LL11-0AA0 SIMATIC Micro內存卡2MByte(MMC)
6ES7953-8LM11-0AA0 SIMATIC Micro內存卡4MByte(MMC)
6ES7953-8LP11-0AA0 SIMATIC Micro內存卡8MByte(MMC)
6ES7951-0KD00-0AA0 FEPROM 內存卡16K
6ES7951-0KE00-0AA0 FEPROM 內存卡32K
6ES7951-0KF00-0AA0 FEPROM 內存卡64K
FEPROM 內存卡128K
6ES7971-1AA00-0AA0 鋰電池 3.6V/0.95AH
開關量模板
6ES7321-1BH02-0AA0 輸入模塊（16點，24VDC）
6ES7321-1BH50-0AA0 輸入模塊（16點，24VDC，源輸入）
6ES7321-1BL00-0AA0 輸入模塊（32點，24VDC）
6ES7321-7BH01-0AB0 輸入模塊（16點，24VDC，診斷能力）
6ES7321-1EL00-0AA0 輸入模塊（32點，120VAC）
6ES7321-1FF01-0AA0 輸入模塊（8點，120/230VAC）
6ES7321-1FH00-0AA0 輸入模塊（16點，120/230VAC）
6ES7322-1BH01-0AA0 輸出模塊（16點，24VDC）
6ES7322-5GH00-0AB0 輸出模塊（16點，24VDC，獨立接點，故障保護）
6ES7322-1BL00-0AA0