碎硅片回收切割常見問題

1、雜質(zhì)線痕：由多晶硅錠內(nèi)雜質(zhì)引起，在切片過程中無(wú)法完全去除，導(dǎo)致硅片上產(chǎn)生相關(guān)線痕。

2、劃傷線痕：由砂漿中的SIC大顆?；蛏皾{結(jié)塊引起。切割過程中，SIC顆?！翱ā痹阡摼€與硅片之間，無(wú)法溢出，造成線痕。

表現(xiàn)形式：包括整條線痕和半截線痕，內(nèi)凹，線痕發(fā)亮，較其它線痕更加窄細(xì)。

3、密布線痕(密集型線痕)：由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機(jī)砂漿回路系統(tǒng)問題，造成硅片上出現(xiàn)密集線痕區(qū)域。

4、錯(cuò)位線痕：由于切片機(jī)液壓夾緊裝置表面有砂漿等異物或者托板上有殘余膠水，造成液壓裝置與托板不能完全夾緊，以及托板螺絲松動(dòng)，而產(chǎn)生的線痕。

在整個(gè)切割過程中，對(duì)硅片的質(zhì)量以及成品率起主要作用的是切割液的粘度、碳化硅微粉的粒型及粒度、砂漿的粘度、砂漿的流量、鋼線的速度、鋼線的張力以及工件的進(jìn)給速度等。

線痕和TTV: 線痕和TTV是在硅片加工當(dāng)中遇到的比較頭疼的事，時(shí)不時(shí)就會(huì)出現(xiàn)一刀，防不勝防。TTV是在入刀的時(shí)候出現(xiàn)，而線痕是在收線弓的時(shí)候容易出現(xiàn)。

硅片回收的具體要求及作業(yè)時(shí)注意事項(xiàng)

一、具體要求

硅片回收來(lái)說(shuō)，對(duì)他的切割也是一種加工的方法，只不過說(shuō)在這個(gè)過程中對(duì)他的要求相對(duì)也是比較高的。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)硅片的厚度對(duì)他的生產(chǎn)力是會(huì)產(chǎn)生影響的，除此之外還應(yīng)該要看看他的精度應(yīng)該要如何控制，要是把這方面掌握好了，那對(duì)整體作業(yè)的幫助還是蠻大的。

二、作業(yè)時(shí)注意事項(xiàng)

硅片回收進(jìn)行切割的時(shí)候，往往我們都會(huì)用到碳化切割，那么在這個(gè)過程中我們所需要注意的問題就比較多的。當(dāng)我們用碳化硅進(jìn)行切割，那他起到的主要作用就不用說(shuō)了，不僅如此我們還應(yīng)該要看看他的硬度和圓形度是怎么樣的，總體來(lái)說(shuō)這些細(xì)節(jié)對(duì)我們的作業(yè)起到的作用還是很關(guān)鍵的。要是有朋友發(fā)現(xiàn)他的切割能力下降了，那勢(shì)必對(duì)硅片的質(zhì)量也會(huì)有連帶影響，對(duì)于這點(diǎn)還是希望大家能夠注意的

多晶硅料回收的流程

1、硅料固體:液體蒸餾回收四氯化硅料提純多晶硅料生產(chǎn)線生產(chǎn)的四個(gè)四氯化硅料氣體，純氣體四氯化硅料在四個(gè)無(wú)填料噴霧吸收塔通過化學(xué)反應(yīng)，二氧化硅料和氯化氫生成的固體形狀，二氧化硅料固體形狀到過濾設(shè)備和干燥設(shè)備，干燥硅料硅料處理包裝進(jìn)店，二氧化硅料固體恢復(fù)過程。

2、四種氣態(tài)四氯化硅料鹽酸復(fù)蘇純化學(xué)反應(yīng)發(fā)生在無(wú)填料噴霧吸收塔，生成氯化氫氣體，氯化氫氣體在液體真空抽吸泵完成反應(yīng)生成鹽酸，集中的過程要求，集中存儲(chǔ)。

回收組件是一對(duì)光有響應(yīng)并能將光能轉(zhuǎn)換成電力的器件。能產(chǎn)生光伏效應(yīng)的材料有許多種，如：?jiǎn)尉Ч?，多晶硅，非晶硅，砷化鎵，硒銦銅等。它們的發(fā)電原理基本相同，現(xiàn)以晶體為例描述光發(fā)電過程。P型晶體硅經(jīng)過摻雜磷可得N型硅，形成P－N結(jié)。

當(dāng)光線照射回收組件表面時(shí)，一部分光子被硅材料吸收；光子的能量傳遞給了硅原子，使電子發(fā)生了躍遷，成為自由電子在P-N結(jié)兩側(cè)集聚形成了電位差，當(dāng)外部接通電路時(shí)，在該電壓的作用下，將會(huì)有電流流過外部電路產(chǎn)生一定的輸出功率。這個(gè)過程的的實(shí)質(zhì)是：光子能量轉(zhuǎn)換成電能的過程。

目前國(guó)際和國(guó)內(nèi)對(duì)于回收組件回收有多種可行的技術(shù)路線，但是由于現(xiàn)階段國(guó)內(nèi)回收組件的回收規(guī)模較小，也沒有形成相應(yīng)的產(chǎn)業(yè)鏈。

有需要太陽(yáng)能光伏組件回收的可以速度與本公司聯(lián)系。