IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

IGBT驅(qū)動電路的作用主要是將單片機(jī)脈沖輸出的功率進(jìn)行放大，以達(dá)到驅(qū)動IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩(wěn)定、工作的前提，驅(qū)動電路起到至關(guān)重要的作用。IGBT是MOSFET管與雙極晶體管的復(fù)合器件，既有MOSFET易驅(qū)動的優(yōu)點(diǎn)，又具有功率晶體管電壓、電流容量大等優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于MOSFET管與功率晶體管之間，可正常工作于數(shù)十千赫茲的頻率范圍內(nèi)。

采用光耦合器及CMOS 驅(qū)動IGBT，該電路自身帶過流保護(hù)功能，光耦合器將脈沖控制電路與驅(qū)動電路隔離，4011 的四個與非門并聯(lián)工作提高了驅(qū)動能力，互補(bǔ)晶體管V1、V2 降低驅(qū)動電路阻抗，通過R1、C1 與R2、C2 獲得不同的正、反向驅(qū)動電壓，以滿足各種IGBT 對柵極驅(qū)動電壓的要求。該電路由于受光耦合器傳輸速度的影響，其工作頻率不能太高，同時受4011 型CMOS電路工作電壓的限制，使+VGE 和-VGE 的幅值相互牽制，并受到限制。

IGBT 的驅(qū)動條件與它的靜態(tài)和動態(tài)特性密切相關(guān)。柵極的正偏壓+VGE、負(fù)偏壓-VGE 和柵極電阻RG 的大小，對IGBT 的通態(tài)電壓、開關(guān)時間、開關(guān)損耗、承受短路能力以及dVCE/dt等參數(shù)都有不同程度的影響。