igbt驅(qū)動(dòng)器是驅(qū)動(dòng)igbt并對其整體性能進(jìn)行調(diào)控的裝置，它不僅影響了igbt 的動(dòng)態(tài)性能，同時(shí)也影響系統(tǒng)的成本和可靠性。驅(qū)動(dòng)器的選擇及輸出功率的計(jì)算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。驅(qū)動(dòng)器功率不足或選擇錯(cuò)誤可能會(huì)直接導(dǎo)致 igbt 和驅(qū)動(dòng)器損壞。

在有些應(yīng)用場景下，驅(qū)動(dòng)要提供豐富的保護(hù)功能。首先，驅(qū)動(dòng)器要長出一雙“眼睛”（故障檢測），觀察“電燈”（負(fù)載）或者“開關(guān)”（IGBT）運(yùn)行是否正常。如果負(fù)載有異常，故障檢測立刻發(fā)送信號給“大腦”MCU，MCU發(fā)指令給IGBT驅(qū)動(dòng)，IGBT驅(qū)動(dòng)關(guān)閉功率器件，避免炸機(jī)。我們把具有保護(hù)功能的IGBT驅(qū)動(dòng)IC稱為增強(qiáng)型驅(qū)動(dòng)。IGBT驅(qū)動(dòng)的保護(hù)功能包括欠壓關(guān)斷、短路保護(hù)、過壓保護(hù)、過溫保護(hù)、米勒鉗位、軟關(guān)斷等。

IGBT驅(qū)動(dòng)電路中的電阻G對工作性能有較大的影響，G較大，有利于抑制IGBT的電流上升率及電壓上升率，但會(huì)增加IGBT的開關(guān)時(shí)間和開關(guān)損20耗；Rc較小，會(huì)引起電流上升率增大，使IGBT誤導(dǎo)通或損壞。Rc的具體數(shù)據(jù)與驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)及IGBT的容量有關(guān)，一般在幾歐～幾十歐，小容量的IGBT其Rc值較大。

IGBT是MOSFET管與雙極晶體管的復(fù)合器件，既有MOSFET易驅(qū)動(dòng)的優(yōu)點(diǎn)，又具有功率晶體管電壓、電流容量大等優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于MOSFET管與功率晶體管之間，可正常工作于數(shù)十千赫茲的頻率范圍內(nèi)。為了讓IGBT、可靠地工作，其柵極應(yīng)連接與之匹配的驅(qū)動(dòng)電路。