絕緣柵雙極晶體管（IGBT)功率模塊具有快速開關(guān)能力和高電壓容量，在各種應(yīng)用中得到越來越多的運(yùn)用。陶氏粘合劑有機(jī)硅解決方案可密封并保護(hù)先進(jìn)的印刷電路板組裝系統(tǒng)，這些系統(tǒng)可在變速驅(qū)動器、太陽能逆變器、風(fēng)能轉(zhuǎn)換器、不間斷電源、動力傳輸系統(tǒng)、電動汽車、鐵路和海運(yùn)等具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用中驅(qū)動IGBT。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

熱限制就是我們脈沖功率，時(shí)間比較短，它可能不是一個(gè)長期的工作點(diǎn)，可能突然增加，這個(gè)時(shí)候就涉及到另外一個(gè)指標(biāo)，動態(tài)熱阻，我們叫做熱阻抗。這個(gè)波動量會直接影響到IGBT的可靠性，就是壽命問題。你可以看到50赫茲波動量非常小，這個(gè)壽命才長。

三相380V輸入電壓經(jīng)過整流和濾波后，直流母線電壓的值：在開關(guān)工作的條件下，IGBT的額定電壓一般要求高于直流母線電壓的兩倍，根據(jù)IGBT規(guī)格的電壓等級，選擇1200V電壓等級的IGBT。

以30kW變頻器為例，負(fù)載電流約為79A，由于負(fù)載電氣啟動或加速時(shí)，電流過載，一般要求1分鐘的時(shí)間內(nèi)，承受1.5倍的過流，擇負(fù)載電流約為119A ，建議選擇150A電流等級的IGBT。