IGBT驅(qū)動(dòng)電路是驅(qū)動(dòng)IGBT模塊以能讓其正常工作，并同時(shí)對(duì)其進(jìn)行保護(hù)的電路。在實(shí)際使用中除IGBT自身外，IGBT 驅(qū)動(dòng)器的作用對(duì)整個(gè)換流系統(tǒng)來(lái)說(shuō)同樣至關(guān)重要。驅(qū)動(dòng)器的選擇及輸出功率的計(jì)算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。

IGBT驅(qū)動(dòng)電路中的電阻G對(duì)工作性能有較大的影響，G較大，有利于抑制IGBT的電流上升率及電壓上升率，但會(huì)增加IGBT的開(kāi)關(guān)時(shí)間和開(kāi)關(guān)損20耗；Rc較小，會(huì)引起電流上升率增大，使IGBT誤導(dǎo)通或損壞。Rc的具體數(shù)據(jù)與驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)及IGBT的容量有關(guān)，一般在幾歐～幾十歐，小容量的IGBT其Rc值較大。

我公司專業(yè)提供IGBT驅(qū)動(dòng)，歡迎來(lái)電咨詢。驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)具有較強(qiáng)的抗干擾能力及對(duì)IGBT的保護(hù)功能。IGBT的控制、驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路等應(yīng)與其高速開(kāi)關(guān)特性相匹配，另外，在未采取適當(dāng)?shù)姆漓o電措施情況下，G -- E斷不能開(kāi)路。

IGBT是MOSFET管與雙極晶體管的復(fù)合器件，既有MOSFET易驅(qū)動(dòng)的優(yōu)點(diǎn)，又具有功率晶體管電壓、電流容量大等優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于MOSFET管與功率晶體管之間，可正常工作于數(shù)十千赫茲的頻率范圍內(nèi)。為了讓IGBT、可靠地工作，其柵極應(yīng)連接與之匹配的驅(qū)動(dòng)電路。