微觀(guān)結(jié)構(gòu)：銦靶晶粒尺寸一般需維持在 10-50 微米區(qū)間，密度高于 7.31g/cm3，熱導(dǎo)率保持在 81.8W/(m?K) 以上，這些技術(shù)參數(shù)直接決定了其在真空濺射過(guò)程中的沉積效率和薄膜質(zhì)量。

優(yōu)異的光學(xué)性能：在可見(jiàn)光波段（380-780nm）內(nèi)，ITO 薄膜的透光率通常能夠達(dá)到 80% 以上，高透光率確保了其在顯示器、太陽(yáng)能電池等應(yīng)用中的良好表現(xiàn)。

粉末冶金法：將銦氧化物和錫氧化物粉末均勻混合，隨后進(jìn)行預(yù)燒結(jié)，以獲得初步的靶材結(jié)構(gòu)。預(yù)燒結(jié)步驟通常在相對(duì)低溫下進(jìn)行，目的是通過(guò)部分熔融促進(jìn)粉末顆粒的結(jié)合，同時(shí)防止過(guò)早的晶粒長(zhǎng)大。粉體粒徑分布的控制是該方法中的關(guān)鍵一環(huán)。

純度分級(jí)：

4N 精銦：純度≥99.99%，主要用于普通電子元器件及靶材原料。

5N-6N 精銦：純度≥99.999%-99.9999%，用于高端半導(dǎo)體、光電材料等領(lǐng)域。