銦靶是指以銦為主要成分的濺射靶材，是一種在材料表面鍍膜過(guò)程中用于提供銦源的材料。在真空濺射鍍膜工藝中，銦靶材在高能粒子的轟擊下，銦原子被濺射出來(lái)并沉積在基底材料表面，形成所需的銦薄膜。

良好的導(dǎo)電性：ITO 薄膜的電阻率可達(dá) 10??Ω?cm，具有較低的電阻和較高的載流子濃度，能夠有效地傳輸電流，滿(mǎn)足各種電子設(shè)備的導(dǎo)電需求。

良好的機(jī)械和熱學(xué)特性：硬度較高，在研磨、拋光過(guò)程中不易被劃傷，保證了薄膜表面的平整性；同時(shí)能夠承受較高的溫度而不發(fā)生分解或結(jié)構(gòu)破壞，在高溫環(huán)境中的抗裂性和耐用性良好，確保了薄膜在濺射和高溫條件下的穩(wěn)定性。

粉末冶金法：將銦氧化物和錫氧化物粉末均勻混合，隨后進(jìn)行預(yù)燒結(jié)，以獲得初步的靶材結(jié)構(gòu)。預(yù)燒結(jié)步驟通常在相對(duì)低溫下進(jìn)行，目的是通過(guò)部分熔融促進(jìn)粉末顆粒的結(jié)合，同時(shí)防止過(guò)早的晶粒長(zhǎng)大。粉體粒徑分布的控制是該方法中的關(guān)鍵一環(huán)。