半導體領域：占比 28%，用于晶圓制造的金屬互聯(lián)層與鈍化層沉積，在第三代半導體器件制造中的滲透率持續(xù)攀升，如氮化鎵功率器件就需要使用銦靶。

主要成分：通常由 90% 的氧化銦（In?O?）和 10% 的氧化錫（SnO?）組成，這一比例在實際應用中能實現(xiàn)透明性和導電性的理想平衡。

外觀特性：在靶材形態(tài)下，顏色通常為淺黃色至淺綠色，而制成薄膜后則具有透明性。

熱等靜壓（HIP）工藝：在高溫和高壓環(huán)境下進行燒結，能夠顯著提高材料的致密度，減少材料中的孔隙，改善材料的微觀結構，使得 ITO 靶材具有更高的電導率和機械強度，但該工藝成本較為昂貴。

顯示技術領域：廣泛應用于 LCD、OLED、AMOLED 等平板顯示器件中作為透明電極，確保顯示設備既能透光顯示圖像，又能導電傳輸信號。