半導(dǎo)體領(lǐng)域：占比 28%，用于晶圓制造的金屬互聯(lián)層與鈍化層沉積，在第三代半導(dǎo)體器件制造中的滲透率持續(xù)攀升，如氮化鎵功率器件就需要使用銦靶。

超高密度成型：超高密度成型工藝（≥99.5%）可使靶材具有更好的性能，提高在真空濺射過程中的穩(wěn)定性和使用壽命。

晶粒定向控制：晶粒定向控制技術(shù)能夠控制銦靶的晶粒尺寸和方向，提升濺射薄膜的質(zhì)量和性能，滿足高端應(yīng)用領(lǐng)域的需求。

物理化學(xué)性能

物理性質(zhì)：

密度：7.31 g/cm3，熔點(diǎn) 156.6℃，沸點(diǎn) 2080℃，常溫下可彎曲而不碎裂。

導(dǎo)電性：電導(dǎo)率約 1.1×10? S/m，僅次于銀、銅，適用于高頻電子元件。

化學(xué)性質(zhì)：

常溫下在空氣中穩(wěn)定，加熱至 100℃以上會(huì)氧化生成 In?O?；可溶于強(qiáng)酸（如鹽酸、硫酸），但在堿中穩(wěn)定性較高。

靶材原料（占比約 60%）：

用于制備 ITO（氧化銦錫）靶材，生產(chǎn) LCD、OLED 顯示面板的透明導(dǎo)電膜（如手機(jī)屏幕、電視面板）。

光伏領(lǐng)域：作為 CIGS（銅銦鎵硒）薄膜太陽能電池的關(guān)鍵原料，提升光電轉(zhuǎn)換效率。