銦靶是指以銦為主要成分的濺射靶材，是一種在材料表面鍍膜過(guò)程中用于提供銦源的材料。在真空濺射鍍膜工藝中，銦靶材在高能粒子的轟擊下，銦原子被濺射出來(lái)并沉積在基底材料表面，形成所需的銦薄膜。

熱等靜壓（HIP）工藝：在高溫和高壓環(huán)境下進(jìn)行燒結(jié)，能夠顯著提高材料的致密度，減少材料中的孔隙，改善材料的微觀結(jié)構(gòu)，使得 ITO 靶材具有更高的電導(dǎo)率和機(jī)械強(qiáng)度，但該工藝成本較為昂貴。

光伏技術(shù)領(lǐng)域：在太陽(yáng)能電池中，ITO 薄膜作為前電極材料，具有高透明性，能夠保證光線有效進(jìn)入吸收層，從而提升光電轉(zhuǎn)換效率，適用于 CIGS、CdTe 等薄膜太陽(yáng)能電池技術(shù)。

其他領(lǐng)域：在智能窗、透明發(fā)熱膜、紅外反射膜等領(lǐng)域也有應(yīng)用，滿足智能建筑和汽車工業(yè)中的透明導(dǎo)電需求。

物理化學(xué)性能

物理性質(zhì)：

密度：7.31 g/cm3，熔點(diǎn) 156.6℃，沸點(diǎn) 2080℃，常溫下可彎曲而不碎裂。

導(dǎo)電性：電導(dǎo)率約 1.1×10? S/m，僅次于銀、銅，適用于高頻電子元件。

化學(xué)性質(zhì)：

常溫下在空氣中穩(wěn)定，加熱至 100℃以上會(huì)氧化生成 In?O?；可溶于強(qiáng)酸（如鹽酸、硫酸），但在堿中穩(wěn)定性較高。