州日佳生產(chǎn)的高頻感應加熱設(shè)備，采用自主研發(fā)的鎖相技術(shù)加可控硅技術(shù)。頻率范圍寬：可以自幾千赫茲到數(shù)百千赫茲，功率范圍廣：考慮IGBT的電流容量為600KW可以達到400KW以上的輸出功率。

逆變部分采用鎖相技術(shù)，所以電力半導體器件工作在ZCS狀態(tài)，可以更充分有效地利用開關(guān)器件的電流容量，降低開關(guān)損耗，使單機容量易于做到200KW的水平，即200KW以下比采用復合技術(shù)，這就使設(shè)備工作更加穩(wěn)定可靠，效率也進一步提高。